1）国家自然科学基金重大研究计划培育项目，多铁隧道结界面设计与磁电性能，2025-2027，65万，主持。
2）科技部重点研发计划，二维材料异维超结构与器件关键技术研究，2023-2028，85万，参与。
3）中国科学院国际合作项目，3D打印磁电纳米复合功能材料和传感器件，2025-2027，60万，主持。
4）国家自然科学基金面上项目， III-VI族二维范德华铁电体物相调控、性能优化及相关存储器件研究，2020/01-2023/12，59万，结题；
5）中央引导地方科技发展专项基金，硅基兼容铁电隧道结的晶圆级制备与集成，60万，2022-2023，结题。
6）2018年第十五批青年千人人才项目，铁电薄膜与器件，2019/03-2022/03, 300万，结题；

本研究组致力于新型铁电/铁磁材料在信息存储、能量存储及传感器件领域的基础研究和应用探索。以铁电薄膜为核心，系统研究在微纳米尺度下，铁电同金属、半导体、铁磁等材料构成的复合薄膜界面所呈现的丰富物理现象，包括磁电耦合、场致阻变、光电效应、应力效应及尺寸效应等。结合先进的微观结构表征与磁、光、电输运性能测试手段，揭示不同界面结构对铁电性能影响的普适规律。在此基础上，开发兼具低功耗与高存储密度的非易失性铁电信息存储器件、 高能量密度与转换效率的电介质储能器件、以及高性能传感器件，推动其在现代电子领域的应用。近期的研究兴趣重点包括：(1) 铁电、铁磁半导体薄膜及其异质结构的可控制备与多场调控；(2) 电介质储能薄膜与器件；(3) 二维铁电半导体材料及其信息存储器件。详情参见：
https://www.x-mol.com/groups/Hu_Weijin

迄今，在Science Advances, Nature Communications、Advanced Functional Materials、ACS Nano、Nano letter等期刊发表论文70余篇，其中高被引文章7篇。文章他引7100余次，H因子33。代表性文章包括：
1. Y. Z. Li†, et al. Flash annealing-engineered wafer-scale relaxor antiferroelectrics for enhanced energy storage performance，Science Advances, 11, eady2349 (2025).
2. Y. X. Jiang, et al. 2D ferroelectric narrow-bandgap semiconductor Wurtzite’ type α-In2Se3 and its silicon-compatible growth, Nature Communications, 16, 7364 (2025).
3. X. Q. Li, et al. Interface element accumulation-induced single ferroelectric domain for high-performance neuromorphic synapse. Advanced Functional Materials, 35, 2423225, (2025).
4. X. Q. Li, et al. Epitaxial strain enhanced ferroelectric polarization towards a giant tunneling electroresistance, ACS Nano 18, 7989 (2024)
5. L. L. Li, et al. 2D Antiferroelectric Hybrid Perovskite with a Large Breakdown Electric Field And Energy Storage Density, Advanced Functional Materials 33 , 2305524 (2023).
6. B. H. Huang, et al. Schottky barrier control of self-polarization for a colossal ferroelectric resistive switching, ACS Nano, 17, 12347 (2023).
7. C. J. Cui†, F. Xue†, W. J. Hu*, L. J. Li*, Two-dimensional materials with piezoelectric and ferroelectric functionalities, npj 2D materials and application, 2, 1 (2018)
8. C. J. Cui†, et al. Intercorrelated in-plane and out-of-plane ferroelectricity in ultrathin two-dimensional layered semiconductor In2Se3, Nano Letter 18, 1253 (2018).
9. W. J. Hu, et al. Colossal X-ray induced persistent photoconductivity in current-perpendicular-to-plane ferroelectric/semiconductor junctions. Advanced Functional Materials. 1704337 (2017).
10. W. J. Hu*, Z. H. Wang, W. L. Yu, & T. Wu*. Optically controlled electroresistance and electrically controlled photovoltage in ferroelectric tunnel junctions. Nature Communications 7, 10808 (2016).
11. W. J. Hu, et al. Universal Ferroelectric Switching Dynamics of Vinylidene Fluoride-trifluoroethylene Copolymer Films. Scientific Reports 4, 4772, (2014).
12. W. J. Hu*, J. Du, B. Li, Q. Zhang, and Z. D. Zhang, Giant magnetocaloric effect in the Ising antiferromagnet DySb. Applied Physics Letters 92, 192505 (2008).
更多信息请参见：https://www.x-mol.com/groups/Hu_Weijin

材料物理与化学┋材料学┋材料加工工程┋材料与化工

指导研究生14名(其中在读硕士研究生1名，博士研究生7名), 博士后1名。毕业生主要就职于大众汽车、盐城实验中学、江西铜业、中国科学院金属研究所、合肥长鑫半导体等知名企业与科研院所。详细信息：https://www.x-mol.com/groups/Hu_Weijin?lang=zh