（1） 辽宁省“兴辽英才计划”青年拔尖人才项目，XLYC2403170，新型 MoSi2N4材料体系的控制制备、物性研究及应用探索，50万元，2025.01-2027.12，项目负责人。 （2） 国家自然科学基金面上项目，52472052，新型层状半导体MoSi2N4和WSi2N4的层数、堆垛控制及物性研究，61.8万元，2025.01-2028.12，项目负责人。
新型二维半导体的制备、物性及器件应用研究。
1. C. Xu†, L. B. Wang†, Z. B. Liu, L. Chen, J. K. Guo, N. Kang*, X. L. Ma, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Large-area high-quality 2D ultrathin Mo2C superconducting crystals, Nature Materials, 14 (11) (2015), 1135-1141. 2. S. Sun†, C. Xu†, K. J. Ji, Y. X. Xia, B. Tong, J. M. Tong, C. Chen, W. Q. Zhao, D. L. Zhou, Q.H. Wang, L. X. Yang, Q. Wang, M. M. Li, B. Y. Zheng, L. P. Ma, X. F. Liu, Z. B. Liu, M. J. Zhu, K. H. Liu, P. Liu, K. L. Jiang, H. M. Cheng, W. C. 7 Ren*, Wafer-scale growth of highly stable p-type semiconducting monolayer MoSi2N4 single crystals, Nature Materials, 2026, in press. 3. D. Y. Yang†, M. M. Li†, L. Sun, T. Y. Zhou, J. M. Tong, C. Chen, W. Q. Zhao, X. Y. Liu, H. X. Wang, L. P. Zhao, H. L. Li, H. Li, Z. B. Liu, X. F. Li, S. Q. Qin, M. J. Zhu∗, C. Xu*, W. C. Ren*, Wafer-scale and doping-tunable p-type semiconducting monolayer WSi2N4 film, National Science Review, 13(10) (2026), nwag191. 4. H. X. Wang, W. Y. Hao, C. Chen, C. J. He, Y. Chen, C. Xu*, W. C. Ren*, Ultrafast preparation of 10-µm-thick large-area single-crystal Au (111) foils, Advanced Materials, 38 (3) (2026), e15581. 5. C. Xu†, Z. Liu†, Z. Y. Zhang†, Z. B. Liu, J. Y. Li, M. H. Pan*, N. Kang*, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Superhigh uniform magnetic Cr substitution in a 2D Mo2C superconductor for a macroscopic-scale Kondo effect, Advanced Materials, 32 (38) (2020), 2002825. 6. C. J. He†, C. Xu†, C. Chen†, J. M. Tong, T. Y. Zhou, S. Sun, Z. B. Liu, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Unusually high thermal conductivity in suspended monolayer MoSi2N4, Nature Communications, 15 (2024), 4832. 7. T. Zhao†, C. Xu†, W. Ma†, Z. B. Liu, T. Y. Zhou, Z. Liu, S. Feng, M. J. Zhu, N. Kang, D. M. Sun, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Ultrafast growth of nanocrystalline graphene films by quenching and grain-size-dependent strength and bandgap opening, Nature Communications, 10 (2019), 4854. 8. Z. P. Chen†, C. Xu†, C. Q. Ma, W. C. Ren*, H. M. Cheng, Lightweight and flexible graphene foam composites for high-performance electromagnetic interference shielding, Advanced Materials, 25 (9) (2013), 1296-1300. 9. G. J. Hu†, C. Xu†, Z. H. Sun, S. G. Wang, H. M. Cheng, F. Li, W. C. Ren*, 3D graphene-foam-reduced-graphene-oxide hybrid nested hierarchical networks for high-performance Li-S batteries, Advanced Materials, 28 (8) (2016), 1603-1609. 10. C. Xu†, S. Song†, Z. B. Liu, L. Chen, L. B. Wang, D. X. Fan, N. Kang*, X. L. Ma, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Strongly coupled high-quality graphene/2D superconducting Mo2C vertical heterostructures with aligned orientation, ACS Nano, 11 (6) (2017), 5906-5914. 11. T. Y. Zhou, C. Xu, W. C. Ren, The van der Waals MoSi2N4 materials family, Nature Reviews Materials, 10 (2025) 907-928. 12. Y. L. Hong†, Z. B. Liu†, L. Wang†, T. Y. Zhou, W. Ma, C. Xu, S. Feng, L. Chen, M. L. Chen, D. M. Sun, X. Q. Chen, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Chemical vapor deposition of layered two-dimensional MoSi2N4 materials, Science, 369 (6504) (2020), 670-674.
2024年荣获2023年国家自然科学奖二等奖（第三完成人） 2024年入选辽宁省“兴辽英才计划”青年拔尖人才 2023年入选沈阳市“高精尖”科技人才（领军） 2022年荣获金属研究所师昌绪青年科技人才基金 2021年国家自然科学基金优秀青年科学基金获得者 2019年入选金属研究所优秀学者 2018年入选中国科学院青年创新促进会会员 2018年获中国科学院“优秀博士学位论文” 2017年获金属研究所“葛庭燧”奖研金资助 2017年获中国科学院“院长特别奖” 2017年获金属研究所“师昌绪奖学金”一等
材料学┋材料与化工
作为副导师和第一导师累计指导学生12名，其中在读10名（6名博士研究生，4硕士研究生），毕业博士2名，1名留所工作，1名入职阳光新能源开发股份有限公司。目前1人获国家奖学金，2人次获师昌绪奖学金；2025年度获评学业奖学金一等比例达到100%；6名同学参加了中期考核，4名获评优秀（全所优秀比例不超过20%）。
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