高质量金刚石薄膜的CVD生长研究；宽禁带半导体材料电致变色机理及器件应用研究；金刚石缺陷发光调控与机理研究

围绕金刚石，SiC及GaN等宽禁带半导体材料的生长，光电性能和器件制备开展系统研究，获得的主要成果如下：（1）解析 P型GaN纳米材料的晶体缺陷如位错，层错以及相界的形成机理，为GaN的可控掺杂提供了理论指导；（2）对SiC复合薄膜的微结构进行系统研究，发现了一种SiC中缺陷可以诱导形成SiC/graphene复合多层膜的新机理；（3）系统研究金刚石中的点缺陷的光致/电致发光机理，提出高亮度金刚石发光芯片的设计准则。相关研究成果发表在Adv. Mater.、Adv. Opt. Mater.、Carbon、ACS.Appl. Mater. Interfaces等国际刊物上，共60余篇，被SCI论文引用1000余次。担任国家自然科学基金函评专家及Carbon，Nanoscale，Appl. Surf. Sci. Vacuum等国际刊物审稿人。
代表性论文如下：
1.  Lu, J. Q.; Yang, B. *; Yu, B.; Li, H. N.; Huang, N; Liu, L. S.; Jiang, X.* Fabrication of Diamond Nanoneedle Arrays Containing High-Brightness Silicon-Vacancy Centers. Adv. Opt. Mater., 2021, 21001427:1-11. (TOP，IF=9.926)
2. Yang, B.*; Li, H. L.; Yu, B.; Lu, J. Q.; Huang, N.; Liu, L. S.; Jiang, X.* Bright Silicon vacancy centers in diamond/SiC composite films, Carbon, 2021,171，455-463. （TOP，IF=9.594）
3. Yang, B.*; Yu, B.; Li, H. L.; Huang, N.; Liu, L. S.; Jiang, X.*, Enhanced and switchable silicon-vacancy photoluminescence in air-annealed nanocrystalline diamond films, Carbon, 2020,156,242-252. （TOP，IF=9.594）
4. Yu, B.; Yang, B.*; Li, H.; Lu, J.; Huang, N.; Liu, L.; Jiang, X.* Effect of surface oxidation on photoluminescence of silicon vacancy color centers in the nanocrystalline diamond films. Appl. Surf. Sci. 2021, 552, 149475. （TOP，IF=6.707）
5. Li, H.; Yang, B.*; Yu, B.; Huang, N.; Liu, L.; Lu, J.; Jiang, X.* Graphene-coated Si nanowires as substrates for surface-enhanced Raman scattering. Appl. Surf. Sci. 2021, 541, 148486. （TOP，IF=6.707）
6. Long, W. J.; Li, H. N.; Yang, B.*; Huang, N.; Liu, L. S.; Jiang, X.*; Superhydrophobic diamond-coated Si nanowires for application of anti-biofouling, J. Mater. Sci. Technol., 2020, 48, 1-8. （TOP，IF=8.067）
7. Yang, B.*; Yu, B.; Li, H. N.; Huang, N.; Liu, L. S.; Jiang, X.*, Deposition of highly adhesive nanocrystalline diamond films on Ti substrates via diamond/SiC composite interlayers, Dia. Rel. Mater., 2020, 108, 107928. （IF=3.315）
8. Yang, B.; Li, J. H.; Guo, L.; Huang, N.; Liu, L. S.; Zhai, Z. F.; Long, W. J.; Jiang, X.*, Fabrication of silicon-vacancy color centers in diamond films: tetramethylsilane as a new dopant source, CrystEngComm, 2018, 20, 1158-1167. （IF=3.545）
9. Yang, B.; Liu, B. D.; Wang, Y. J.; Zhuang, H.; Liu, Q. Y.; Yuan, F.; Jiang, X.*, Zn-dopant dependent defect evolution in GaN nanowires, Nanoscale, 2015, 7, 16237-245. （TOP，IF=7.79）
10. Yang, B.; Yuan, F.; Liu, Q. Y.; Huang, N.; Qiu, J. H.; Staedler, T.; Liu, B. D.*; Jiang, X.*, Dislocation induced nanoparticle decoration on a GaN nanowire. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2015, 7, 2790-2796. (TOP，IF=9.229)